未来的存储器

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在高速增长的非易失性存储器市场中，浮栅NAND闪存一直以来都是主流技术。然而，随着持续每年以2倍以上速度的等比例缩减，人们普遍认为该技术很快就会达到物理极限。
　　一方面使用多层互连方案不断拓展现有的技术（必然的），可以通过对四个不同的层进行编程，实现在一个物理单元中存储两个字节。同时，替代技术方面也取得了有趣的进展。最有希望（且很可能替代）的技术之一是纳米晶体和氮化物基多层结构的电荷捕获。后者的一个典型例子是硅/氧化物/氮化物/氧化物/硅（SONOS）。
　　另一个有趣的选择是相变存储器（PCM），这是一种基于硫族元素化合物电阻器的存储技术。通过焦尔热可以熔化这种材料，冷却后形成一种高阻非晶相物质，还可以加热到熔点以下，诱发相变到低阻晶态。
　　由于不需改变材料，并在预计即使十年后发展到~5nm的尺度范围也不会遇到物理极限，可见PCM是一种很有前途的技术。在应用材料公司（Applied Materials）最近组织的一次座谈会上，参会者公认PCM的单元体积、芯片尺寸和成本方面都是很吸引人的。该技术的读取速度约为50纳秒，可以无限制次数读取，长达约10年的数据保持能力，写入速度约为10 0纳秒，并且与CMOS技术兼容。在比特级的写入功能方面，它超过了当前的闪存技术，写入前不需先擦除旧数据，并且可循环写入的次数达108。
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