第四章 存储器
第四章 存储器M与Cache（片内外，指令数据分开），硬件；M与F，+OS
MAR和MDR做在CPU里
半导体RAM：触发器（Cache)和电容（2ms，先读后写) ROM:系统程序
静态RAM不掉电时信息不易失。读写先地址后片选和控制
按字节或字（随字长变化寻址范围）编址，所以存储容量为二进制位总数
片选信号与MREQ低有关，与地址线有关，加东西
低位交叉编址多体，不改变存取周期。A1、A0控制片选。T+（n-1)t(T字t传输周期）
2k方>=n+k+1海明。0100111偶，则0101为传送（135723674567）
i=j mod C 主存字块标记缓存字块地址字块内地址 直接影象（B）
i=j mod Q 主存字块标记组地址 字块内地址 组相联影象（B）
主存字块标记 字块内地址 全相联映像（B）
组相连：先字块内地址，再组地址（Cache块数-log2组),再主存字块标记（主存B数-
又-）
直接影象与全相连的比较次数不一样
磁表面存储器：写操作根据记录方式（不归零等）不同，磁头线圈中的写电流也不同
，通常磁盘存储器采用调频制和改进型调频制的记录方式
按奇偶访问内存，按字节和字访问内存，也是片选，3位组合，配合高低位地址
交叉存储器带宽：总信息量/所需时间（顺序的字时间，交叉的） 总信息量=组*字长
磁盘时间（平均访盘时间）：道+等+传。活动头磁盘平均寻地时间为前两者
存储周期：连续读或写间隔
存储器芯片最少引出线：D+A+W+R？
和动态MOS存储器比，双极型半导体存储器性能是：集成度低，存储周期快，位平均
功耗大
磁盘是部分串行存取，磁带串行
活动头磁盘存储信息写读是串行的
磁盘转速提高一倍，则查找（寻找）时间、平均定位时间不变。定位时间也称为寻道
时间
采用虚拟存储器的目的是扩大存储器的寻址空间。程序执行时，OS完成影射。每次访
问一个虚地址不一定要两次访问主存
磁道是记录密度不同的同心圆
局部性理论：程序访问M不均匀。速度和容量，MCMP都有
单体多字存储器解决访存速度问题
记录面号（磁头号），磁道号，扇区号（扇段装记录块（头尾空白段序标段数据段交
验字段））
道密度（tpm)和位密度(bpm)（线）为记录密度
缓存的容量与缓存中数据命中率有关，命中率与Cache块长和容量有关
M地址影射到Cache中定位称为地址映像，将主存地址变换为Cache地址为地址变换
M指标：容量，周期，带宽； 磁盘：密度，容量，寻址时间，传输速率，误码率
磁盘控制器，磁盘驱动器，盘片
M带宽：存储字长/存储周期
写M与Cache同时修改为写直达，暂时写Cache，替换时才写入主存为写回法
交叉：不同请求源，高体低内字，增带宽高字低体号
读或写周期>读或写时间，合称为存取时间（单个）
主存的速度指标可用存储周期来表示
误码率：出错位数/读出信息的总位数
刷：集中分散和异步
存储芯片内地址译码有线选法（地址线较少）和重合法（行列两个方向译码）
主存信息调入缓存根据算法由CPU自动完成。内容要与M保持一致
磁盘最大数据传输率=每磁道位*转圈数/转时
PM与曼，FM：0中间不变，本书1为低到高，曼左，查证。MFM连续0变，起始都不变
PLA：可编程逻辑阵列是一种特殊ROM，不能作为M
PROM一般是不可改写的
双极半导体比金属氧化物快贵
存储芯片连线以线少为主,线差参与门电路,注意低电平。
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